CXMT bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM G5 11.95nm-class, tăng diện tích die ~50% cho LPDDR5X 24Gb

Tóm tắt nhanh

• CXMT tuyên bố đã vào sản xuất hàng loạt công nghệ DRAM thế hệ 5 (G5) với active-area half-pitch 11.95nm, dùng lithography quadruple-patterning.
• Các thiết bị G5 đầu tiên công bố là chip 24Gb LPDDR5X đã vào sản xuất hàng loạt và được dùng trên các smartphone hàng đầu ở Trung Quốc.
• CXMT nói G5 cho số die thô trên wafer tăng ít nhất 50% so với G4 và cung cấp 24Gb LPDDR5X ở hai định dạng đóng gói cho thiết kế di động khác nhau.
• Công ty cho biết DRAM-optimized HKMG giảm chiều cao ô cell lõi xuống còn 6,762nm và họ thay đổi quá trình cùng một số vật liệu mới để đạt capacitor aspect ratio khoảng 45:1.
• Tỷ lệ aspect ratio 45:1 giúp giảm diện tích ô nhớ nhưng CXMT thừa nhận con số này khó so sánh trực tiếp với đối thủ; SK hynix cho rằng khi xuống dưới 10nm cần vượt 100:1.
• Báo cáo nhắc rằng 11.95nm là active-area half-pitch chứ không phải tên node tiêu chuẩn, nên gọi là '12nm' là đơn giản hóa và không chứng minh tính tương đương công nghệ với Micron, Samsung hay SK hynix.
• CXMT không công bố số liệu cụ thể về số die/wafer, tỷ lệ lỗi (yields) hay chi phí sản xuất trên bit, nên không thể xác định mức tăng năng suất hoặc năng suất thực tế.
• Tom's Hardware nhận xét dù có caveat, việc đạt kích thước '11.95-class' và sản xuất hàng loạt 24Gb LPDDR5X vẫn là một thành tựu đáng kể.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.