CXMT công bố RDIMM DDR5 4F² đầu tiên dự kiến ra mắt cuối năm

Tóm tắt nhanh

• CXMT dự kiến ra mắt sản phẩm 4F² đầu tiên là server DDR5 RDIMM vào cuối năm, theo phát biểu của chủ tịch Cao Kanyu được Yicai đưa lại.
• Thiết kế 4F² của CXMT dùng transistor đứng Vertical Surrounded Gate (VSG) với cổng quấn quanh kênh, trên lý thuyết giảm diện tích ô nhớ khoảng một phần ba so với 6F².
• Công ty chưa công bố tốc độ, dung lượng, mật độ die hay node tiến trình cho RDIMM mới; chỉ có ngày mục tiêu và thiết kế ô.
• CXMT đã công bố nghiên cứu và bằng sáng chế liên quan 4F² từ 2021, 2023 và 2025, và từng trình diễn ví dụ nghiên cứu 8Gb tại IEDM 2023.
• CXMT tuyên bố có hơn 300 gia đình bằng sáng chế công bố liên quan 4F² và đã bắt đầu làm việc về hybrid-bonding từ 2019 với các bằng sáng chế đã đăng.
• Ngành đang dịch chuyển sang 4F² và giải pháp 3D kết hợp wafer-level hybrid bonding để tách DRAM và CMOS, cho phép tối ưu hóa riêng cell và logic.
• CXMT vừa công bố nền tảng G5 DRAM thế hệ 5 đã vào sản xuất hàng loạt và được TrendForce ghi nhận 9.5% doanh thu DRAM toàn cầu Q2, tăng từ 7.6% Q1.
• Các đối thủ như Samsung và SK hynix cũng phát triển 4F² với transistor đứng; nhưng lịch ra mắt thương mại khác nhau và một số báo cáo cho thấy việc sản xuất ổn định ở quy mô lớn vẫn là thách thức.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.