GlobalFoundries ra mắt quy trình FDX Fusion 7nm-class trên FD-SOI, hướng tới ôtô và AI biên

Tóm tắt nhanh

• GlobalFoundries công bố công nghệ sản xuất FDX Fusion 7nm-class dựa trên planar transistors và FD-SOI, khác với FinFET mà công ty hủy năm 2018.
• GF nói FDX Fusion mang lại 'digital performance' 7nm-class và mật độ transistor hơn gấp đôi so với 22FDX, nhưng không công bố kích thước transistor hay contacted gate pitch.
• Quy trình kết hợp cải tiến ở SOI substrate, cấu trúc transistor và back-end interconnect để đạt mục tiêu về hiệu năng và tích hợp.
• FDX Fusion hỗ trợ RF transistor với fT/fmax lên đến 0.5 THz, mạch analog/mixed-signal, bộ nhớ nhúng không bay hơi và khả năng in-memory computing.
• Mục tiêu ứng dụng gồm ôtô, edge AI, công nghiệp, robot, cảm biến và thiết bị ưu tiên tiêu thụ thấp, tích hợp cao và chi phí hiệu quả hơn là hiệu năng tối đa.
• GF dự kiến giao mẫu silicon demo cho đánh giá đầu 2027, cung cấp PDK đầu tiên vào giữa 2027 và sản xuất tại nhà máy Dresden vào 2028.
• Công ty cho biết đã hợp tác với một số khách hàng; trong thông cáo GF nêu BMW, Bosch, Infineon, NXP, Siemens và Tesla bày tỏ quan tâm, nhưng chỉ Infineon xác nhận hợp tác cho radar và truyền thông không dây.
• FDX Fusion được thiết kế để tích hợp logic số, RF, analog, bộ nhớ nhúng và in-memory trên cùng một chip, giảm nhu cầu nhiều IC riêng biệt và chi phí tapeout.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.