IMECAS chế tạo transistor GAA stacked-nanosheet hoạt động bằng DUV, hướng tới 3nm nhưng chưa bằng 3nm thương mại

Tóm tắt nhanh

• Viện Vi Điện tử thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc (IMECAS) phát triển quy trình thử nghiệm cho transistor gate-all-around (GAA) stacked-nanosheet dùng khắc DUV immersion và đã chứng minh thiết bị hoạt động.
• Quy trình nhằm mục tiêu dùng cho công nghệ lớp 3nm và nhỏ hơn của các hãng Trung Quốc không có máy EUV, theo DigiTimes.
• IMECAS công bố tỷ lệ Ion/Ioff đạt 9.7×10⁵ và 7.6×10⁵, đều vượt ngưỡng 5×10⁵, cho thấy kiểm soát cổng trên các tấm nanosheet đang hoạt động.
• Tổ chức không tiết lộ các tham số hình học then chốt như gate pitch, metal pitch, kích thước nanosheet, mật độ transistor hay mật độ SRAM để so sánh với 3nm thương mại.
• Do thiếu thông số hình học, kết quả nên được xem là xác nhận quy trình GAA dựa trên DUV chứ không phải bằng chứng Trung Quốc đã phát triển quy trình 3nm sản xuất được mà không cần EUV.
• Quy trình trình bày không phải là một quy trình định nghĩa cho chip nghiên cứu đầy đủ chứ chưa nói đến quy trình sản xuất 3nm-class hoàn chỉnh.
• IMECAS đã nghiên cứu chuyển đổi từ FinFET sang GAA kể từ 2020, tập trung vào các node dưới 3nm và nêu 3nm trong thông báo vì mục tiêu đó.
• Theo phát biểu của Ye Tianchun tại hội nghị IC World, IMECAS đã hoàn thành 'early process integration' cho GAA stacked nanosheet chế tạo bằng DUV.
• Thành tựu quan trọng ở chỗ cho thấy Trung Quốc có thể phát triển nhánh tiến hóa bán dẫn riêng mà không dùng các công cụ hàng đầu từ các công ty phương Tây.
• Nhóm nghiên cứu đang theo đuổi giảm phụ thuộc vào công cụ, phần mềm và công nghệ bị kiểm soát xuất khẩu từ Mỹ, Nhật Bản và châu Âu thông qua đổi mới kiến trúc và DTCO/STCO.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.