Micron chọn wafer bonding, High-NA EUV và DRAM dọc (vHBM, vEIM) cho lộ trình DRAM thế hệ mới

Tóm tắt nhanh

• Micron loại bỏ roadmap 4F2 và sẽ dùng phương pháp khác để tiếp tục thu nhỏ DRAM nhằm theo kịp đối thủ sử dụng transistor DRAM nhỏ hơn vào cuối thập kỷ.
• Công ty sẽ đưa wafer bonding vào quy trình 1ε đang phát triển, nhưng chưa công bố cách triển khai hay lợi ích cụ thể từ công nghệ này.
• Micron đang sản xuất hàng loạt quy trình 1γ và dự kiến 1δ vào sản xuất đại trà nửa sau 2027 với tăng mật độ bit khoảng giữa 20%.
• 1δ được tối ưu cho các sản phẩm bộ nhớ AI tương lai bao gồm HBM5, vHBM và vEIM.
• Sau 1ε, Micron lên kế hoạch dùng High-NA EUV cho thế hệ ζÅ (zeta angstrom) — thế hệ DRAM lớp dưới 10nm đầu tiên của họ.
• Thế hệ tiếp theo ηÅ (eta angstrom) sẽ áp dụng vật liệu mới để tiếp tục thu nhỏ cell DRAM.
• Micron liệt kê hai thế hệ 3D DRAM (3D1 và 3D2) trong roadmap nhưng chưa công bố kiến trúc hay lịch ra mắt, sẽ triển khai khi đạt lợi thế về chi phí và hiệu năng.
• Công ty hợp tác với Albany NanoTech để phát triển nhiều công nghệ chế tạo trong 5–10 năm tới, đặc biệt thúc đẩy roadmap High-NA EUV cho DRAM.
• Micron phát triển các loại bộ nhớ dọc như vHBM và vEIM để tích hợp trực tiếp lên bộ xử lý, hứa hẹn độ trễ thấp hơn và băng thông cao hơn nhờ kết nối ngắn hơn.
• CTO và lãnh đạo Micron nhấn mạnh việc đưa 3D DRAM vào lộ trình như một đường song song, quyết định triển khai dựa trên chi phí, độ phức tạp và hiệu năng thiết bị.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.