Micron công bố 3D NAND G11 trên 400 lớp, dùng wafer-on-wafer, dự kiến sản xuất hàng loạt 2H 2027

Tóm tắt nhanh

• Micron tiết lộ 3D NAND thế hệ G11 sẽ vào sản xuất hàng loạt trong nửa cuối 2027.
• G11 dùng hơn 400 lớp NAND và áp dụng kỹ thuật wafer-on-wafer bonding để tăng mật độ bit.
• Công ty kỳ vọng G11 đạt khoảng gấp đôi mật độ bit so với G9 (3D TLC ~21 Gb/mm² => ~42 Gb/mm²).
• Micron cho biết G11 có thể tăng tốc I/O lên khoảng 50% (từ 3.600 MT/s lên ~5.400 MT/s).
• G11 dự kiến giảm năng lượng truyền dữ liệu trên mỗi bit hơn 25% so với thế hệ hiện tại.
• Wafer-on-wafer cho phép sản xuất phần mảng NAND và mạch ngoại vi trên wafer khác nhau rồi ghép lại để tối ưu hóa độc lập.
• Micron vẫn dùng CMOS-under-array trước đây nhưng nói wafer bonding mang lại linh hoạt và hiệu năng cao hơn.
• Công ty chưa công bố số wordline hoặc số deck cụ thể và sẽ tiết lộ thêm chi tiết kỹ thuật vào 2027.
• Ngoài G11, Micron phát triển vật liệu có độ dẫn cao, kiến trúc cell siêu dày đặc và các đường dữ liệu tiết kiệm năng lượng.
• Mục tiêu là tiếp tục mở rộng quy mô 3D NAND theo cả ba chiều (tăng lớp và giảm kích thước cell X/Y) để nâng mật độ.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.