Micron công bố lộ trình DRAM và NAND với 3D DRAM, High-NA EUV và wafer bonding

Tóm tắt nhanh

• Micron vừa công bố lộ trình DRAM và NAND cho vài năm tới, với các hướng chính gồm wafer bonding, vật liệu mới, High-NA EUV, 3D DRAM và mở rộng dòng sản phẩm custom cho AI.
• Về DRAM, Micron từ bỏ kế hoạch dùng cell 4F2 như CXMT, Samsung và SK hynix vì không thấy lộ trình mở rộng khả thi; thay vào đó công ty tập trung vào wafer bonding, High-NA EUV, vật liệu mới và 3D DRAM.
• Node 1γ hiện đã vào sản xuất hàng loạt và là DRAM node đầu tiên của Micron dùng EUV lithography, sau giai đoạn trước đó hãng vẫn dùng multipatterning với DUV lithography.
• Node 1δ đang ở giai đoạn ramp lợi suất và dự kiến sản xuất hàng loạt trong nửa cuối 2027; Micron nói node này có thể tăng mật độ bit khoảng giữa 20% so với 1γ.
• Micron cho biết 1δ sẽ được sản xuất tại Mỹ và dùng cho DDR, LPDDR, graphics memory, HBM5, vertical HBM (vHBM) và vertical Edge Inference Memory (vEIM).
• Để hỗ trợ HBM5, vHBM5 và vEIM, 1δ cũng sẽ có thêm các tính năng như through-silicon vias (TSVs) và các yếu tố khác nhằm cải thiện hiệu năng nhiệt.
• Node 1ε đang được phát triển sẽ dựa trên wafer bonding, cho phép sản xuất các cấu trúc khác nhau trên các wafer riêng rồi ghép lại, nhưng Micron chưa công bố cấu trúc nào sẽ được ghép hay mức cải thiện về mật độ và điện năng.
• Node ζÅ đang ở giai đoạn phát triển sớm và sẽ đưa High-NA EUV lithography vào sản xuất bộ nhớ để tiếp tục thu nhỏ kích thước tới hạn, nhưng Micron chưa tiết lộ số lớp dùng công nghệ này hay thời điểm sản xuất hàng loạt.
• Ngoài DRAM, Micron cũng nhấn mạnh 3D NAND sẽ tiếp tục dùng vật liệu mới để làm dày đặc hơn kiến trúc cell và theo đuổi mở rộng theo cả ba chiều X, Y, Z trong các thế hệ tiếp theo.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.