Micron từ bỏ nghiên cứu 4F² DRAM sau hai thập kỷ, giữ hướng phát triển trên 6F²

Tóm tắt nhanh

• Micron thông báo sẽ không theo đuổi kiến trúc 4F² DRAM sau khoảng hai thập kỷ nghiên cứu, do không mang lại lợi thế mật độ đáng kể và làm tăng độ phức tạp và chi phí sản xuất.
• Scott DeBoer, CTO và Chủ tịch sản phẩm của Micron, nói công ty đã đánh giá 4F² qua nhiều năm và quyết định không áp dụng vì chi phí và phức tạp tăng.
• 4F² được quảng bá là có diện tích cell nhỏ hơn ~33% so với 6F², lý thuyết có thể tăng số cell trên wafer đến 50%, nhưng Micron cho rằng lợi ích này không thực tế.
• Micron giải thích yếu tố quyết định mật độ bit là bước sóng và pitch của tụ điện (capacitor pitch), chứ không phải diện tích transistor 4F² hoặc 6F².
• Do cả 4F² và 6F² đều phải đặt transistor dưới tụ điện, giảm diện tích transistor không đảm bảo giảm kích thước ô nhớ tổng thể.
• Công ty cho rằng 4F² đòi hỏi các bước sản xuất bổ sung và làm tăng chi phí mà không đem lại lợi ích đủ lớn.
• Samsung và SK hynix vẫn đưa 4F² vào lộ trình sản phẩm theo dữ liệu TechInsights, nên quyết định của Micron đặt họ theo hướng khác biệt so với đối thủ.
• Thay vì 4F², Micron sẽ tiếp tục tinh chỉnh 6F², tập trung vào thu nhỏ pitch tụ điện và cải tiến quy trình để tăng mật độ bit.
• Micron trước đây trì hoãn đưa EUV vào sản xuất trong khi đối thủ áp dụng, nhưng vẫn giữ được vị trí cạnh tranh về chi phí và hiệu năng.
• Quyết định này có tác động lớn đến kế hoạch tương lai của Micron và có thể ảnh hưởng tới chiến lược phát triển DRAM toàn cầu.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.