Samsung và SK Hynix nâng cấp nhà máy Trung Quốc để sản xuất NAND nhiều tầng phục vụ AI

Tóm tắt nhanh

• Reuters dẫn bốn nguồn cho biết Samsung Electronics dự kiến chuyển nhà máy ở Xi’an sang sản xuất flash 286-layer vào cuối năm để làm V9 NAND.
• Theo cùng báo, SK Hynix đặt mục tiêu sản xuất chip 240-layer tại nhà máy Đan Liên, hiện đang làm chip 192-layer; thời gian nâng cấp chưa rõ.
• Cả hai công ty đang đẩy mạnh sản xuất NAND cao tầng để đáp ứng nhu cầu RAM/flash cho trung tâm dữ liệu AI, ưu tiên mảng này hơn sản xuất hướng người tiêu dùng.
• Quy định xuất khẩu thiết bị sản xuất chip của Mỹ (áp dụng từ 2022) buộc hai hãng Hàn Quốc xin giấy phép để lắp thiết bị Mỹ trong nhà máy Trung Quốc, làm chậm tiến độ nâng cấp.
• Reuters nêu lý do quy định Mỹ là một nguyên nhân giúp các công ty Trung Quốc như YMTC, CXMT có cơ hội mở rộng sản xuất NAND và DRAM.
• CXMT (China's premier chipmaker) đang mở rộng sang 3D NAND cho SSD và báo cáo doanh thu $22.41 tỷ, lợi nhuận ròng $11.57 tỷ nửa đầu 2026, nhưng quy mô vẫn nhỏ hơn Samsung, SK Hynix và Micron.
• Samsung hiện sản xuất khoảng 40% sản lượng toàn cầu tại nhà máy Xi’an, vốn đang làm chip ~200 tầng trước khi nâng lên 286-layer.
• Nguồn cho kế hoạch SK Hynix được ba người xác nhận; một số chi tiết thời gian nâng cấp của SK Hynix chưa được công bố.

Tóm tắt tự động bằng AI từ bài gốc, có thể có sai sót. Hãy kiểm chứng ở bài gốc.